پژوهشگر ايرانی موفق به افزايش مقاومت مغناطيسی سلولهای حافظه رايانه شد
در راستاي ساخت تجهيزات نانوالکترونيک پژوهشگر ايراني موفق به افزايش مقاومت مغناطيسي سلولهاي حافظه رايانه شد
محقق دانشگاه پيام نور تهران و پژوهشکده علوم نانو پژوهشگاه دانشهاي بنيادي، طي پژوهشي توانست با بررسي نظري استفاده از فولرين(C60) در ساخت سلولهاي حافظه رايانه، يک پيوندگاه تونلزني با مقاومت مغناطيسي بالا طراحي کند.
شرکت تحقيقاتي گارتر بر اساس آخرين بررسيهاي خود اعلام کرد، نسل جديد نرمافزارها و خدمات رايانهاي مبتني بر اينترنت(Cloud Computing) جزء 10 فناوري برتر حوزه IT محسوب مي شود که کاربران بايد براي آن برنامهريزي کنند.
